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抛光片宜采用怎样的清洗方法?

来源:http://www.lapping.cn/ 日期:2017-12-25 11:04:01 人气:434

陶瓷抛光机抛光硅片后,硅片表面会产生一些污染主要以:微粗糙度,金属污染和表面颗粒度以及有机沾污这些对器件性能有重大影响。以下简单介绍一些清洗方法:

1.微粗糙度.以前一般常用RCV清洗技术清洗硅片,而在清洗过后硅片表面则会有较为严重的粗糙化作用。对于硅片表面的微粗糙度主要是受到RCA清洗工艺和HF清洗的影响,我们可以采用降低氨水含量和极度稀释HF清洗技术,这样可以保证硅片表面微粗糙度。

2.金属污染.它会破坏薄氧化层的完整性,增加漏电流密度、减少其寿命;活动离子如钠会在氧化层中引起移动电荷,影响器件的稳定性;重金属离子会增加暗电流;快扩散离子。如:铜、镍,易沉积于硅片表面,形成微结构缺陷。当其污染严重时,不会形成雾状缺陷,这缺陷会与氧化诱生成层错和外延层错相关。这个适合采用添加了表面活性剂的极度希释RCA来进行清洗,这样能有效去除表面颗粒,减少颗粒沉淀,来达到极少表面颗粒目的。

运用表面活性剂和HF的RCA改进工艺,能够很好地控制抛光片表面的颗粒度和金属污染,相对而言效果显著。

本文出自:http://www.lapping.cn/mpjishu/963.html


标签:陶瓷抛光机
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